实用性：
兼容：兼容MoNb/MTD/Ti等膜层。
便捷：一剂型，使用过程无需补液。
稳定：寿命期间特性数据浮动小。
经济性：原料国产化。
安全性：寿命终点状态下可保持48h无升温。
高寿命：将原5000ppm铜离子寿命提升至7000ppm，药液用量降低 29%。
Gate/ITO一步刻蚀：实现铜/ITO一步刻蚀，释放ITO刻蚀设备产能。
NW工艺：用湿法蚀刻N+Asi替代干刻，释放干刻产能。
开发、生产湿制程电子化学品及封装材料
和其他电子行业特种功能性材料
皖公网安备34012202340638号
